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(b)不同的Mo释放量下，通知反应体系中Mo蒸汽浓度空间分布情况的模拟结果。对增电网(h)随SnO2用量的增加Mo蒸汽在反应体系里有效扩散距离的变化趋势。

而氢气的加入使得整个生长过程变快而更加依赖于反应体系的瞬时动力学条件，量配这就使得对于MoSe2的有效控制十分困难。本文发现，配电对Mo释放量的适当降低可以使得空间中Mo蒸汽的分布更加均匀，更有利于均匀、纯净的MoS2薄膜的生长。所制得MoS2单层薄膜的(e)拉曼光谱,(f)原子力显微镜图片，价格(g)荧光光谱以及(f)HAADF-STEM图片。

实行反应残余物的(e)XRD谱和(f)拉曼光谱。另外氢气会将SnO2还原为易挥发的SnO，最高因此我们选用了更为稳定的Al2O3作为抑制层。

管理【总结与展望】本文报道了一种氧化物抑制层辅助的二维MoX2(X=S,Se,Te)单层的CVD生长方法。

通过对衬底上不同位置的样品进行观察与分析，河北我们可以得到与MoS2生长相似的结论，河北较高的Mo:Se比更有利于单层MoSe2的面内生长，而较低的Mo：Se则会促进多层MoSe2的生成。这些材料具有出色的集光和EnT特性，通知这是通过掺杂低能红色发射铂的受体实现的。

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